选型手册：VSD004N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSD004N03MS是一款面向 30V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 2.2mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 2.8mΩ，低压场景下传导损耗极致低；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 150A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 90A，承载能力极强；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：500A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。
二、核心特性
- 极致低导通电阻：2.2~2.8mΩ 的阻性表现，大幅降低低压超大电流传输的损耗；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 560mJ，抗冲击能力极强；
- 快速开关：开关特性优异，适配高频低压电源场景；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
30 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
150 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 150；\(T=100^\circ\text{C}\): 90 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
500 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
560 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
125 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+175 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷；
- 典型应用：
- 30V 级低压超大电流 DC/DC 转换器；
- 储能系统、工业设备的超大电流负载开关；
- 高功率电源管理系统的核心功率开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
