核芯互联发布CLI343/CLI349系列光隔离栅极驱动器

核芯互联新品发布

光隔离栅极驱动器

CLI3434A大电流轨到轨输出

CLI3492.5A高速轨到轨输出

在高压功率变换的世界里，每一纳秒的延迟、每一毫安的驱动能力，都直接关系着系统的效率与可靠。核芯互联正式发布两款光隔离栅极驱动器——CLI343与CLI349，以光耦隔离的成熟可靠，直面SiC/GaN与IGBT驱动的严苛挑战。

两款器件均采用LSOP-6贴片封装，绝缘耐压达5000VRMS/1min(UL1577)，工作温度 -40℃~105℃，满足工业与新能源应用的严苛要求。

配图：功能图 (在VCC和VEE之间必须连接一个1 μF的去耦电容)

Part 01 CLI343 · 4A 大电流轨到轨栅极驱动器

CLI343面向电机控制逆变器应用，高峰值输出电流可直接驱动1200V/200A等级IGBT;对更高耐压器件，亦可用于驱动IGBT栅极分立功率级。按IEC/EN/DIN EN 60747-5-2，最高绝缘电压VIORM = 891Vpeak。

核心亮点

4A最大峰值输出电流(最小3A)，轨到轨输出电压

200ns最大传输延迟，100ns最大传输延迟差

35kV/μs最小共模抑制(VCM=1500V)

具有迟滞的UVLO(典型12.8V/11.8V)

ICC最大3mA，VCC工作范围15~30V

强共模抑制能力确保微控制器在大共模噪声环境下正常工作;输入电流直接驱动LED并兼具迟滞特性，输入端无需额外施密特触发器。

Part 02 CLI349 · 2.5A 输出轨到轨栅极驱动器

CLI349内置AlGaAs LED，光耦合至带功率输出级的集成电路，专为驱动功率SiC/GaN MOSFET与IGBT而生。输出级高工作电压范围提供栅控器件所需驱动电压，高峰值输出电流可直接驱动1200V/100A等级器件。

核心亮点

2.5A最大峰值输出电流，轨到轨输出电压

120ns最大传输延迟，50ns最大传输延迟差

具有迟滞的LED输入电流，抗差模噪声抖动

具有迟滞的UVLO(典型13.4V/12.4V)

ICC最大3mA，VCC 工作范围15~30V

基于BCD工艺打造，峰值电流更高、速度较上代提升一倍，有助于缩短SiC/GaN MOSFET开关死区时间、提升系统整体效率;轨到轨输出让栅极驱动电压达到期望值且几乎无能量损失。

CLI349 vs CLI343 核心参数对比

大电流 IGBT选CLI343 / 高速 SiC/GaN选CLI349

注：对比数据以官方对比图口径整理 若与实测数据图存在差异，以实测数据为准。

配图：封装外形图

推荐应用电路

VCC与VEE之间须接1μF去耦电容;LED 两端电阻(约 1.5:1)构建平衡电阻网络，提升共模抑制;栅极电阻 RG 限制栅端电流、控制开关时间。

配图：推荐应用电路与LED驱动两端的电阻

应用场景

01 IGBT / MOSFET 栅极驱动

02 交流 & 无刷直流电机驱动

03 可再生能源逆变器

04 工业逆变器

05 开关电源

如需样品申请、数据手册或技术支持，请联系核芯互联销售与技术支持团队。